Это исследование компании Advanced Functional Materials предлагает революционную стратегию преодоления узких мест производительности углеродных квантовых точек (CQD). На основе этой статьи я составил техническое предложение по схеме разработки высокопроизводительных светодиодов с использованием технологии матрично-индуцированного улучшения излучения (MIE).
Дисперсия ATO играет решающую роль в современных прозрачных проводящих материалах, теплоизоляционных покрытиях и антистатических применениях. В этом подробном руководстве SAT NANO объясняет, что такое дисперсия ATO, как она работает, где используется и почему она стала незаменимым материалом для высокоэффективных промышленных составов.
Как человек, глубоко вовлеченный в материаловедение, я своими глазами видел, как правильные компоненты могут улучшить производительность. Одно из самых интересных достижений, которые мы внедрили в SAT NANO, связано с наночастицами диоксида олова.
Как исследователь с более чем двадцатилетним опытом работы в области материаловедения, я своими глазами видел проблемы, возникающие при синтезе однородных, высококачественных суспензий наночастиц оксидов металлов. Борьба реальна: агломерация, в которой эти крошечные, мощные частицы слипаются, может разрушить те самые свойства, над достижением которых мы так усердно работаем.
Существует три основных метода получения одностенных углеродных нанотрубок: дуговой метод, метод лазерной абляции и метод химического осаждения из паровой фазы (CVD).
С разработкой технологии интегрированной цепи (IC) масштабирование полевых транзисторов на основе кремния оксида металла (MOS) (FET) приближается к их фундаментальным физическим ограничениям. Углеродные нанотрубки (УНТ) считаются многообещающими материалами в пост -кремниевую эпоху из -за их атомной толщины и уникальных электрических свойств с потенциалом для повышения производительности транзистора при одновременном снижении энергопотребления. Высокая чистота, выровненные углеродные нанотрубки (A-CNT), являются идеальным выбором для движения передовых ICS из-за их высокой плотности тока. Однако, когда длина канала (LCH) уменьшается ниже 30 нм, производительность FET с одним затвором (SG) A-CNT значительно уменьшается, в основном проявляется в качестве ухудшения характеристик переключения и увеличения тока утечки. Эта статья направлена на то, чтобы выявить механизм деградации производительности у FET A-CNT посредством теоретических и экспериментальных исследований, а также предложить решения.
